退火條件對(duì)氮摻雜二氧化鈦薄膜性能的影響

編號(hào)：FTJS07999

篇名：退火條件對(duì)氮摻雜二氧化鈦薄膜性能的影響

作者：楊勇 姚婷婷 李剛 金克武 王天齊 馬立云

關(guān)鍵詞： 退火條件 紫外可見(jiàn)光分光光度計(jì) X射線光電子能譜儀 薄膜性能 氮摻雜二氧化鈦 射頻磁控濺射技術(shù) 玻璃基底 真空退火

機(jī)構(gòu)： 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院 浮法玻璃新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 利用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制備N摻雜TiO2薄膜。利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、X射線光電子能譜儀和紫外可見(jiàn)光分光光度計(jì)研究了不同退火條件對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:真空退火后的薄膜結(jié)晶性能均較差,隨著退火溫度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜內(nèi)部的N含量均減少,禁帶寬度從2.83eV增加到3.21eV;常壓條件下退火,薄膜的結(jié)晶性變優(yōu),晶粒變大,薄膜內(nèi)部N含量減少,禁帶寬度增加到2.93eV。