PECVD工藝制備的背面氮化硅薄膜對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池EL發(fā)黑的影響

編號(hào)：CYYJ02345

篇名：PECVD工藝制備的背面氮化硅薄膜對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池EL發(fā)黑的影響

作者：張福慶 王貴梅 趙環(huán) 張軍杰 朱少杰

關(guān)鍵詞： 單晶硅 雙面太陽(yáng)電池 PECVD 氮化硅薄膜 EL發(fā)黑 折射率 開(kāi)槽激光

機(jī)構(gòu)： 晶澳太陽(yáng)能有限公司

摘要： 以采用PECVd工藝制備的背面氮化硅薄膜對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池電致發(fā)光(EL)發(fā)黑的影響為研究對(duì)象進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明,當(dāng)背面氮化硅薄膜中底層膜的折射率較低時(shí),會(huì)導(dǎo)致雙面單晶硅太陽(yáng)電池背電極位置的EL發(fā)黑;底層膜和中層膜的折射率過(guò)高時(shí),會(huì)導(dǎo)致雙面單晶硅太陽(yáng)電池的EL大面積發(fā)黑;上層膜邊緣的折射率較高時(shí),會(huì)導(dǎo)致雙面單晶硅太陽(yáng)電池的邊緣位置EL發(fā)黑。對(duì)于雙面單晶硅太陽(yáng)電池而言,采用PECVd工藝制備背面氮化硅薄膜時(shí)制定合理的底層膜、中層膜,以及上層膜邊緣的折射率范圍,可以有效避免雙面單晶硅太陽(yáng)電池不良品的產(chǎn)生。