異質誘導酞菁鋅有機薄膜晶體管的蒸鍍工藝

編號：FTJS08403

篇名：異質誘導酞菁鋅有機薄膜晶體管的蒸鍍工藝

作者：董金鵬 孫強 李桂娟 蘇和平 王璐 朱陽陽 王麗娟

關鍵詞： p-6P 酞菁鋅(ZnPc) 薄膜生長 有機薄膜晶體管(OTFT) 電性能

機構： 長春工業(yè)大學化學工程學院 海南科技職業(yè)大學

摘要： 通過調控對六聯(lián)苯(p-6P)誘導層和酞菁鋅(ZnPc)蒸鍍工藝條件,研究了有機半導體小分子的結晶生長成膜與ZnPc有機薄膜晶體管(OTFT)器件電性能的關系。結果表明,p-6P在180~190℃較高的襯底生長溫度和3~4 nm的生長厚度下能夠形成更大的結晶疇以及對二氧化硅襯底表面更好的覆蓋,有利于誘導ZnPc小分子的結晶生長,使晶疇的排列更加有序。同時通過X射線衍射分析晶體結構,結果表明p-6P襯底溫度的升高會明顯提高ZnPc薄膜的結晶性。電性能研究發(fā)現(xiàn),ZnPc蒸鍍厚度的增加會顯著提高器件的飽和電流和遷移率,在異質誘導條件下,p-6P薄膜厚度為3 nm、ZnPc蒸鍍厚度為20 nm時,器件的飽和電流為1.08×10-6 A,遷移率為1.66×10-2 cm 2·V-1·s-1。