納米BaTiO3-SiCw/聚偏氟乙烯三元復(fù)合薄膜的制備及其介電性能

編號：NMJS07932

篇名：納米BaTiO3-SiCw/聚偏氟乙烯三元復(fù)合薄膜的制備及其介電性能

作者：于婷 許靜 關(guān)曉琳 雷西萍

關(guān)鍵詞： SIC晶須 聚偏氟乙烯 BaTiO3 介電性能 復(fù)合薄膜

機構(gòu)： 西安建筑科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 西北師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院

摘要： 以15wt%十六烷基三甲基溴化銨改性碳化硅晶須(CTAB-SiCw)和KH550改性納米BaTiO3(BT)為填料,聚偏氟乙烯(PVDF)為成膜物質(zhì),通過溶液流延法制備了BT-SiCw/PVDF三元復(fù)合薄膜,利用FTIR、XRD、SEM和LCR介電溫譜儀-高溫測試系統(tǒng)聯(lián)用裝置對產(chǎn)物進行結(jié)構(gòu)表征和介電性能測試。結(jié)果表明:KH550可以成功改性BT粒子且不會改變BT晶體結(jié)構(gòu),SiCw和BT能夠較好地分散在PVDF基體中;隨著BT引入量的增加,復(fù)合薄膜的介電常數(shù)先增加后減小,其中當(dāng)引入10wt%BT時介電性能最優(yōu),即頻率f=500 Hz、介電常數(shù)εrmax=33、介電損耗tanδmax=0.154。隨著溫度的升高,該試樣的介電常數(shù)和介電損耗也逐漸增加,并在120℃達到最大值(f=500 Hz、εrmax=110、tanδmax=1.3)。結(jié)果對于研究具有高介電常數(shù)的三元復(fù)合電介質(zhì)材料為在埋入式電容器中獲得應(yīng)用提供了一種策略。