PECVD氮化硅薄膜制備工藝研究

編號(hào)：FTJS08571

篇名：PECVD氮化硅薄膜制備工藝研究

作者：施秉旭

關(guān)鍵詞： 氮化硅薄膜 PECVD 氧化硅薄膜 制備工藝研究

機(jī)構(gòu)： 德州職業(yè)技術(shù)學(xué)院

摘要： 氮化硅具有良好的介電特性(介電常數(shù)低、損耗低)、高絕緣性,高致密性的氮化硅對(duì)雜質(zhì)離子有很好的阻擋能力。PECVD法工藝復(fù)雜,沉積過程的控制因素較多,沉積條件對(duì)介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)與性能有直接的影響。在PECVD淀積過程中必須對(duì)多個(gè)參數(shù)進(jìn)行控制,因此,優(yōu)化沉積條件是十分重要的。氧化硅薄膜通常采用PVD和CVD技術(shù)來制備。目前,在PECVD系統(tǒng)中,通過反應(yīng),獲得了氧化硅薄膜。薄膜的沉積是在具有等離子體熱系統(tǒng)中進(jìn)行的,液體源經(jīng)固定溫度加熱后,通過管道系統(tǒng)進(jìn)入沉積室。