聚酰亞胺基石墨膜的制備、高溫結(jié)構(gòu)演變及其導(dǎo)熱性能研究

編號：FTJS09420

篇名：聚酰亞胺基石墨膜的制備、高溫結(jié)構(gòu)演變及其導(dǎo)熱性能研究

作者：陳子豪 蔡云飛 張騰飛 王啟民

關(guān)鍵詞： 聚酰亞胺 石墨膜 碳化 石墨化 熱導(dǎo)率

機構(gòu)： 廣東工業(yè)大學(xué)機電工程學(xué)院

摘要： 目的系統(tǒng)研究聚酰亞胺(PI)膜在高溫碳化、石墨化過程中的微觀結(jié)構(gòu)演變,以及PI膜厚對石墨膜結(jié)構(gòu)和導(dǎo)熱性能的影響機制。方法采用二步法制備2種不同厚度的PI薄膜,對其進行高溫碳化、石墨化和壓延處理,并系統(tǒng)研究薄膜高溫結(jié)構(gòu)演變規(guī)律和及其導(dǎo)熱性能。結(jié)果涂布法制備出的PI膜膜厚分別為32、67.5μm,經(jīng)1000℃碳化后,薄膜從無序結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變無定形碳,并在2800℃高溫石墨化過程中轉(zhuǎn)變?yōu)楦叨扔行虻膶訝钍�墨結(jié)構(gòu),經(jīng)壓延工藝處理后,其石墨膜厚度分別為17、40μm,壓延工藝減少了石墨膜疏松孔洞和片層間間距,顯著提高了石墨膜面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)。結(jié)論在一定范圍內(nèi),薄膜越薄,越有利于雜質(zhì)元素脫除和提升石墨化程度。所制得的17μm石墨膜面內(nèi)熱導(dǎo)率可達1465 W/(m·K)。