退火處理對CVD生長石墨烯薄膜功函數(shù)的影響

編號：FTJS106549

篇名：退火處理對CVD生長石墨烯薄膜功函數(shù)的影響

作者：姜燕 程振華 宋娟

關鍵詞： 石墨烯 功函數(shù) 原子力顯微鏡 退火 表面接觸電勢差 化學氣相沉積法

機構： 江蘇大學材料科學與工程學院

摘要： 通過退火處理去除了石墨烯薄膜上的吸附氣體和雜質(zhì),改變了石墨烯表面吸附情況.利用原子力顯微鏡和開爾文掃描探針顯微鏡,對退火處理前后的石墨烯薄膜表面進行了原位掃描,分別得到其退火前、后的表面形貌和表面接觸電勢差圖.根據(jù)表面接觸電勢差測量結果進一步計算其功函數(shù),并對退火處理導致的功函數(shù)變化機理進行分析.結果表明:退火處理使得石墨烯薄膜與SiO2襯底間的水分子層逸出,從而導致石墨烯薄膜與SiO2襯底間距減小,降低了石墨烯薄膜的P型摻雜水平,使得費米能級上升、石墨烯薄膜功函數(shù)減小.