氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲器交叉陣列的研究

編號：CYYJ043166

篇名：氧化錳-氧化鉿雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲器交叉陣列的研究

作者：胡全麗 羅涵瓊 蘇旺

關(guān)鍵詞： 氧化錳 氧化鉿 阻變存儲器 交叉陣列

機構(gòu)： 內(nèi)蒙古民族大學納米創(chuàng)新研究院

摘要： 組建了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt阻變存儲器,研究了MnO和HfO2雙層結(jié)構(gòu)的電阻轉(zhuǎn)變特性。器件表現(xiàn)出高開關(guān)比、低操作電壓和無電初始化等穩(wěn)定的雙極性電阻轉(zhuǎn)變特性。電阻轉(zhuǎn)變機制主要為歐姆傳導和肖特基發(fā)射機制。證明了具有5×5交叉陣列結(jié)構(gòu)的Ag/MnO/HfO2/Pt器件有望成為一種有潛力的阻變存儲器候選體系。