IGBT灌封用苯基改性有機硅凝膠的耐熱及介電性能研究

編號：CYYJ043354

篇名：IGBT灌封用苯基改性有機硅凝膠的耐熱及介電性能研究

作者：王爭東 羅盟 王然 李夢力 周遠航 成永紅

關鍵詞： 苯基改性有機硅凝膠 絕緣封裝 熱穩(wěn)定性 擊穿強度 高溫耐電

機構(gòu)： 西安建筑科技大學機電工程學院 電力設備電氣絕緣國家重點實驗室（西安交通大學）

摘要： 隨著絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)向高電壓、大功率化方向發(fā)展,其產(chǎn)生的熱量和運行溫度快速上升,致使其絕緣封裝系統(tǒng)失效問題愈發(fā)突出。為滿足IGBT日益嚴苛的工作環(huán)境,亟需研發(fā)一種高性能的有機硅灌封材料。該文通過化學合成制備苯基改性有機硅凝膠(phenyl modified silicone gel,PMSG),研究其耐熱和介電性能。結(jié)果表明:PMSG失重5%的熱失重溫度為383℃,室溫擊穿場強可達32.62 kV/mm,比純有機硅凝膠(pure silicone gel,PSG)提高17.42%,且150℃擊穿場強相較于室溫擊穿場強僅下降25.38%,展現(xiàn)出更優(yōu)良的高溫耐電特性。同時,其相比于PSG具有更低的介電損耗。因此,PMSG作為IGBT封裝材料時,整體性能更加優(yōu)良。該研究將為IGBT封裝用新型高性能絕緣材料的研制提供有效思路和理論基礎。