氧化鎵粉體的電解法合成及性能研究

編號(hào)：FTJS106991

篇名：氧化鎵粉體的電解法合成及性能研究

作者：廖文琦 徐華蕊 陳彩明 趙昀云 龍神峰 韋婷婷 朱歸勝

關(guān)鍵詞： 電流密度 GaOOH納米顆粒 β-Ga2O3 冷燒結(jié)工藝 β-Ga2O3靶材

機(jī)構(gòu)： 桂林電子科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 隨著顯示器件對(duì)導(dǎo)電薄膜的要求越來(lái)越高,高致密度、高電導(dǎo)率的IGZO靶材得以迅速發(fā)展。本文采用一種合Ga2O3的新方法電解法,以純Ga金屬片為陽(yáng)極,以石墨棒為陰極,以NH4Cl水溶液為電解液,成功合成了平均粒徑約為580nm的片層繭狀GaOOH納米顆粒。該納米顆粒分別在500和800℃下煅燒3h,獲得α-Ga2O3和β-Ga2O3納米粉體,并以該β-Ga2O3粉體為原料采用冷燒結(jié)工藝同高溫?zé)�結(jié)相結(jié)合制備β-Ga2O3靶材,并對(duì)β-Ga2O3靶材的燒結(jié)性能和微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,電流密度對(duì)GaOOH納米顆粒的形貌和粒徑具有顯著影響,當(dāng)電流密度為1A/cm2時(shí)獲得的GaOOH片層繭狀納米顆粒,其顆粒尺寸小且尺寸均勻。經(jīng)冷燒結(jié)工藝-高溫?zé)�結(jié)獲得更高密度的β-Ga2O3靶材,其相對(duì)密度達(dá)到98.91%,為后續(xù)制備高致密度、高電導(dǎo)率的IGZO靶材提供了參考。