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雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T
設(shè)備詳情：
QBT-A 可在任意曲面，如平面、復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)、多孔基板上沉積高純度薄膜，且具有優(yōu)異的臺階覆蓋性，適用于微/納光電子器件、高品質(zhì)光學(xué)和光電子薄膜的制備；此外，通過等離子體的引入，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，適用于對溫度敏感材料和氮化物材料上的薄膜沉積。
原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
1、高薄膜致密度
2、實現(xiàn)氮化物薄膜的極低氧含量
3、高真空自動化傳輸
4、全自動化人機操作界面
5、工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO
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