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雙腔型超高真空蒸鍍系統(tǒng)
技術(shù)參數(shù)：
1高真空腔體：2個(gè)高真空腔體包括負(fù)荷鎖及Evaporation,極限真空極限壓力<2e-8 Torr
2排氣速率：ATM到3E-7 Torr<20分鐘(裝載鎖)
3基板加熱：RT-600oC
4離子束清洗：考夫曼離子源,離子能量100-600 eV， 100-1200eV; 離子束電流：:20-200mA,或100基板刻蝕
均一性<3%
5高壓電源：6-10千瓦電源，1-6源口袋
6成膜均勻性：<3%（6inch Wafer）
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗(yàn)，韞茂為新型芯片，半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，提供最先進(jìn)的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺(tái)，保證高品質(zhì)的設(shè)計(jì)，多功能，易于使用的界面，嚴(yán)格的安全控制，以及快速的交付和服務(wù)。
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