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紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析系統(tǒng)“μAMOS”是一款半導(dǎo)體失效分析儀，使用IR-OBIRCH方式來定位漏電流路徑和LSI器件中的異常阻抗接觸部件。在特定頻率下，使用lock-in單元來探測OBIRCH信號可大大提高信噪比。而且，通過使用大電流探針頭，也可以對大電流高電壓工作的器件進行分析。
特性
圖像空間分辨率高
背面觀測（λ=1.3 μm）
可觀測高摻雜基底（Epi-sub）
使用紅外激光（λ=1.3 μm）意味著在半導(dǎo)體視場內(nèi)不會產(chǎn)生OBIC信號，因此可探測到缺陷引發(fā)的OBIRCH信號
可以測量4象限電壓/電流
可升級到微光顯微鏡（選配）
應(yīng)用
漏電流路徑定位
IDDQ失效分析
金屬缺陷探測
金屬線缺陷探測（空，硅節(jié)）
觸控（過孔）異常阻抗部件探測
金屬化過程監(jiān)控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，靜態(tài)供電電流)：IDDQ為MOS管開關(guān)完成后流過的靜態(tài)供電電流。
參數(shù)
| 產(chǎn)品名稱 | uAMOS-1000 |
|---|---|
| 尺寸/重量 | 主單元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H)， Approx. 900 kg 控制臺：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 選配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H)， Approx. 45 kg |
| 線電壓 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 約 3000W |
| 真空度 | 約80 kPa或更大 |
| 壓縮空氣 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
| 晶片* | 前面 | 切塊后的芯片到300mm晶片 |
| 背面 | 200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通過增加選配來處理） |
*：與選用探針的規(guī)格有關(guān)
| 封裝后IC | 前面 | 芯片打開到表面的IC |
| 背面 | 鏡面拋光到硅基底的IC |
紅外共焦激光顯微鏡
| 掃描速度（秒/圖） | ||||
| 512×512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
| 1024×1024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激光*
| 1.3 μm激光二極管 | 輸出: 100 mW |
| 1.3 μm高功率激光器（選配） | 輸出: 超過400 mW |
| 1.1 μm脈沖激光器（選配） | 輸出: 200 mW (CW)， 800 mW (pulse) |
*： For 1.3 μm laser， one of two laser can be integrated.
光平臺移動范圍*
| X | ±20 mm |
| Y | ±20 mm |
| Z | 75 mm |
*：由于探針或者樣品平臺的阻礙，該值肯會更小
透鏡放大
一個轉(zhuǎn)臺可選透鏡數(shù)達5個。
| 透鏡 | 數(shù)值孔徑 | WD (mm) | 視場 | μAMOS-1000 |
| 1×: A7649-01 | 0.03 | 20 | 13×13 | 標配 |
| 2×: A8009 | 0.055 | 34 | 6.5×6.5 | 選配 |
| M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 標配 |
| M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.65×0.65 | 標配 |
| M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.26×0.26 | 選配 |
| NIR 50×: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.26×0.26 | 選配 |
| High NA50×: A801812 | 0.76 | 12 | 0.26×0.26 | 選配 |
| M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.13×0.13 | 標配 |
| NIR 100×: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.13×0.13 | 選配 |
| M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.13×0.13 | 選配 |
| G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.13×0.13 | 選配 |
1：用1來標記的鏡頭有兩種可選
2：用2來標記的鏡頭帶玻璃厚度補償功能
獲取OBIRCH圖像
| 電壓固定型 | 電流固定型 | 微電流放大器 | |
| 施加電壓 | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±25 V |
| **電流 | 100 mA | 100 mA | 100 μA |
| 探測率 | 1 nA1 | 1 μV2 | 3 pA1 |
1：為輸入放大器的**可探測脈沖信號
2：計算值
外形圖（單位：mm）
暫無數(shù)據(jù)！
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