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6吋電阻法碳化硅晶體生長設備 UK-T6品牌
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電阻法碳化硅晶體生長設備UK-T6
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2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內；
3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產，提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
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