中國(guó)粉體網(wǎng)訊 她雖出身名門(mén)望族，卻用絕食爭(zhēng)取上學(xué)的機(jī)會(huì)；她放棄優(yōu)越條件，力破重重阻撓回國(guó)；她苦心鉆研，帶領(lǐng)我國(guó)拉制成功第一根鍺單晶和第一根硅單晶，使中國(guó)成為世界上第三個(gè)生產(chǎn)出硅單晶的國(guó)家；她開(kāi)拓創(chuàng)新，開(kāi)創(chuàng)了我國(guó)微重力半導(dǎo)體材料科學(xué)研究新領(lǐng)域，并在砷化鎵晶體太空生長(zhǎng)和性質(zhì)研究方面取得了令世人矚目的成績(jī)……她，就是林蘭英院士。
在她 85 年的生命歷程中，她抗?fàn)庍^(guò)，失敗過(guò)，成功過(guò)，遺憾過(guò)…… 她將她的一生奉獻(xiàn)給了她敬愛(ài)的祖國(guó)和鐘愛(ài)的半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)。
林蘭英院士簡(jiǎn)介
來(lái)源：學(xué)習(xí)時(shí)報(bào)
林蘭英，福建省莆田市人，半導(dǎo)體材料科學(xué)家、物理學(xué)家，中國(guó)科學(xué)院院士。1940年從福建協(xié)和大學(xué)（福建師范大學(xué)前身）物理系畢業(yè)后留校任教；1948年赴美留學(xué)，1955年獲得賓夕法尼亞大學(xué)固體物理學(xué)博士學(xué)位。她于1957年沖破重重阻礙，帶著半導(dǎo)體新材料回到中國(guó)。回國(guó)后，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料科學(xué)研究工作，是我國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)開(kāi)拓者之一。先后負(fù)責(zé)研制成我國(guó)第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國(guó)微電子和光電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
靠絕食爭(zhēng)來(lái)讀書(shū)的機(jī)會(huì)
她是賓夕法尼亞大學(xué)第一位女博士
林蘭英出生在福建莆田，祖上林潤(rùn)是明嘉靖年間的御史大夫，林家在當(dāng)?shù)厥呛苡忻拇笞�。然而，作為林家的女兒，她卻并不被長(zhǎng)輩待見(jiàn)。人們受“女子無(wú)才便是德”的封建觀念影響，認(rèn)為女子只需學(xué)會(huì)煮飯、燒茶、做家務(wù)就行了。
滿(mǎn)了 6歲，林蘭英就吵著要上學(xué)，守舊的母親卻不允許。性格倔強(qiáng)的林蘭英軟磨硬纏，甚至兩三天不吃不喝，母親拗不過(guò)她，只得答應(yīng)她的要求，但是前提是家務(wù)活一件不能落下，還要考第一名，否則，就死了這條心。
讓母親意外的是，林蘭英真的拿回了第一名的獎(jiǎng)狀，并且在讀書(shū)獲獎(jiǎng)這條路上，一發(fā)不可收拾。1936年，18歲的林蘭英考入福建協(xié)和大學(xué)學(xué)數(shù)學(xué)，后來(lái)又因?yàn)槌煽?jī)優(yōu)秀被留校任教。期間，很多媒人上門(mén)提親，但都被她委婉拒絕了。林蘭英認(rèn)為她的青春應(yīng)該做一些有意義的事情。30歲那年，她又考入美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)，令人沒(méi)想到的是，她并沒(méi)有選擇一直熱愛(ài)的數(shù)學(xué)專(zhuān)業(yè)，當(dāng)時(shí)，蓬勃興起的固體物理正在悄然改變著世界。懷著“一切都應(yīng)該服從祖國(guó)建設(shè)事業(yè)的迫切需要”的想法，林蘭英果斷地選擇改學(xué)固體物理專(zhuān)業(yè)。
同年秋，林蘭英進(jìn)入賓夕法尼亞大學(xué)研究生院，開(kāi)始了固體物理專(zhuān)業(yè)的研究。1951年，她獲得賓夕法尼亞大學(xué)固體物理學(xué)碩士學(xué)位，之后繼續(xù)攻讀博士學(xué)位，師從米勒教授。1955年6月，憑借博士論文《離子晶體缺陷的研究》獲得賓夕法尼亞大學(xué)固體物理學(xué)博士學(xué)位，是該校建校以來(lái)，第一位獲得博士學(xué)位的中國(guó)人，也是該校有史以來(lái)的第一位女博士。
因一句“祖國(guó)需要你”
她放棄優(yōu)渥條件，力排阻撓回國(guó)
1955年，完成博士學(xué)業(yè)的林蘭英因美國(guó)政府的施壓，暫時(shí)無(wú)法回國(guó)。美國(guó)的半導(dǎo)體科學(xué)正在蓬勃發(fā)展，為了將實(shí)踐和理論相結(jié)合，深度接觸半導(dǎo)體材料研究的前沿領(lǐng)域，學(xué)習(xí)實(shí)用技術(shù)，為回國(guó)工作打下牢固的基礎(chǔ)，林蘭英來(lái)到美國(guó)著名的索菲尼亞公司擔(dān)任高級(jí)工程師，專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料研究。當(dāng)時(shí)該公司正在依據(jù)美國(guó)科學(xué)家研究的方法和工序拉制硅單晶并屢遭挫折，林蘭英經(jīng)過(guò)觀察和研究，不僅找出了失敗的癥結(jié)，而且提出了改進(jìn)操作規(guī)程和設(shè)備的建議，最終使得拉制硅單晶的任務(wù)圓滿(mǎn)完成。隨后她據(jù)此發(fā)表的有關(guān)論文還被美國(guó)當(dāng)局列為專(zhuān)利技術(shù)。在索菲尼亞公司任職的一年多時(shí)間里，林蘭英開(kāi)闊了眼界、增長(zhǎng)了學(xué)識(shí)，深受公司的賞識(shí)。
在美國(guó)，林蘭英有著良好的工作環(huán)境，倍受公司器重，有著優(yōu)越的研究條件和誘人的高薪，但“梁園雖好，終非久居之地”，林蘭英始終惦記著自己的祖國(guó)。
當(dāng)時(shí)，美國(guó)政府設(shè)置各種障礙，阻礙中國(guó)留學(xué)生歸國(guó)。1956年召開(kāi)日內(nèi)瓦會(huì)議，中美終于達(dá)成協(xié)議：中國(guó)留美學(xué)生可以自由回國(guó)。得知這一消息的林蘭英，立即申請(qǐng)回國(guó)。公司為了挽留她，以高薪為誘餌，但她不為所動(dòng)。面對(duì)聯(lián)邦調(diào)查局的數(shù)次刁難，她態(tài)度堅(jiān)決。后來(lái)，聯(lián)邦調(diào)查局竟然對(duì)臨行時(shí)的她實(shí)行搜身，扣押了她一張6800美元的旅行支票。這張被無(wú)理扣押的支票，一直到1980年才被索回。
自力更生搞研究
她為祖國(guó)奉獻(xiàn)畢生精力
1957年春天，林蘭英回到了闊別數(shù)載的祖國(guó)，并馬上開(kāi)展半導(dǎo)體研究。當(dāng)時(shí)，我國(guó)的半導(dǎo)體事業(yè)十分落后，單晶硅計(jì)劃在1968年開(kāi)始進(jìn)行。外國(guó)專(zhuān)家也預(yù)測(cè)，中國(guó)要到60年代才能著手單晶材料的研制。然而林蘭英說(shuō)：“我們中華兒女，要有民族自尊心，要有自力更生的精神。我們中國(guó)的科學(xué)，只有敢于走自己的路，勇于向前沖，沖到別人前頭，才可以說(shuō)進(jìn)入科學(xué)的前沿�！痹诹痔m英的帶領(lǐng)下，我國(guó)于1957年拉制成功第一根鍺單晶，于1958年拉制成功第一根硅單晶，中國(guó)也成為世界上第三個(gè)生產(chǎn)出硅單晶的國(guó)家。
之后，林蘭英又把更先進(jìn)的砷化鎵單晶的拉制提上日程。砷化鎵單晶可以用于微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域，這是硅單晶所不具備的。1962年10月，林蘭英拉制出的砷化鎵單晶的電子遷移率被鑒定為達(dá)到當(dāng)時(shí)世界上的最高水平。
林蘭英傾心于國(guó)家興旺、科技發(fā)展、團(tuán)隊(duì)的壯大、競(jìng)爭(zhēng)力的發(fā)揮，她用一顆赤膽忠心，鑄就了她無(wú)私無(wú)畏、坦誠(chéng)直言的品質(zhì)。從事半導(dǎo)體材料科學(xué)40余年，把畢生的精力獻(xiàn)給了我國(guó)的半導(dǎo)體材料科學(xué)事業(yè)，成為我國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)的奠基人和開(kāi)拓者。在她的不懈努力和推動(dòng)下，我國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)工作取得了令世人矚目的成就。她的精神、她的身影、她的音容，始終鼓舞著后人立志奮發(fā)、無(wú)私奉獻(xiàn)......
參考來(lái)源：
學(xué)習(xí)時(shí)報(bào).林蘭英：被稱(chēng)為中國(guó)半導(dǎo)體材料之母
科學(xué)精神·求實(shí)篇.弘揚(yáng)科學(xué)家精神 | 林蘭英：一往無(wú)前 專(zhuān)注半導(dǎo)體研究
中國(guó)科學(xué)報(bào).追記林蘭英院士：那盞永恒的明燈
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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