中國粉體網(wǎng)訊  近日，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳與浙江省財(cái)政廳聯(lián)合公布了2024年度浙江省首臺（套）裝備名單，晶盛機(jī)電12英寸硅片最終拋光設(shè)備成功入選，被認(rèn)定為國內(nèi)首臺（套）裝備。

硅是一種非常優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，其帶隙為1.12eV，適中且適合多數(shù)電子器件的工作需求。硅的電子遷移率和空穴遷移率也較為理想，適合制造高性能的芯片。此外，硅能夠通過直拉法（Czochralski法）和區(qū)熔法等工藝制備出高質(zhì)量的大尺寸單晶。硅晶體結(jié)構(gòu)完善，晶格缺陷少，有利于生產(chǎn)高性能的集成電路。

硅片表面拋光是半導(dǎo)體制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝，旨在通過去除硅片表面的微缺陷、應(yīng)力損傷層以及金屬離子等雜質(zhì)污染，達(dá)到極高的表面平整度和粗糙度要求，從而滿足微電子（IC）器件的制備需求。

為了滿足線寬小于0.13μm至28nm的IC芯片電路工藝對直徑300mm硅拋光片的高質(zhì)量要求，進(jìn)一步減少硅片表面的金屬離子等雜質(zhì)污染，并確保硅片表面具有極高的表面納米形貌特性，最終拋光（精拋光加工）成為不可或缺的關(guān)鍵步驟。

來源：昌盛機(jī)電官網(wǎng)

昌盛機(jī)電此次入選的12英寸硅片最終拋光設(shè)備成功突破拋頭柔性均勻加壓等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，有效提升晶圓表面均勻度，充分保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，整體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，在滿足大尺寸單晶硅片拋光需求的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心零部件和耗材的自主研發(fā)及國產(chǎn)化替代，為我國高端集成電路大尺寸硅片制造及裝備的研發(fā)提供強(qiáng)力技術(shù)支撐。

浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳

晶盛機(jī)電是全球光伏裝備技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的企業(yè)，國內(nèi)集成電路級8-12英寸大硅片生長及加工設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)，公司圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，公司大尺寸藍(lán)寶石晶體生長工藝和技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平，是掌握核心技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè)，可為半導(dǎo)體、光伏行業(yè)提供全球極具競爭力的高端裝備和高品質(zhì)服務(wù)。

參考來源：

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、昌盛機(jī)電官網(wǎng)、浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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