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            Sentech集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)
            Sentech集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)

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            Sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)

            高產量

            等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合,用于到200 mm晶片的高產量工藝。

            研發(fā)

            三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設備,以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

            SENTECH多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂,可適用于三至六個端口??梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。

            用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業(yè)領域高產量的多腔系統(tǒng)。

            高產量的多腔系統(tǒng)

            ICP-RIE等離子刻蝕腔體可與兩個片盒站組合用于200mm晶片的高產量并行工藝。

            用于研發(fā)的多腔系統(tǒng)

            ICP-RIE,RIE,PECVD和ICPECVD等腔體可與預真空室,片盒站等組合使用,以滿足研發(fā)的特殊要求。

            創(chuàng)新點

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