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        PMGI/LOR剝離光刻膠
        PMGI/LOR剝離光刻膠

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        香港電子器材有限公司

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        PMGI & LOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn),廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負(fù)光刻膠作為雙疊層光刻膠,在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化(<0.25μM),以及非常厚(>4μm)金屬化。這些獨特的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

        PMGI & LOR的特性:

        1)高分辨,可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝

        2)undercut 結(jié)構(gòu)可控,溶解速率易于調(diào)節(jié)

        3)在Si,NiFe,GaAs,nP和其它III-V材料上有良好的粘附力

        4)與 g-, h-,i-line,DUV,193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容

        5)良好的耐熱穩(wěn)定性

        6)去膠容易,剝離干凈

        應(yīng)用:金屬電梯加工,橋制造,釋放層

        PMGI & LOR屬性

        1)覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

        2)在TMAH雙疊層一步發(fā)展,或KOH開發(fā)

        3)高熱穩(wěn)定性:Tg ~190 C

        4)快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

        5)0.25μm微米雙層抗蝕成像

        6)產(chǎn)量高,可用于很厚(>3μm)金屬剝離處理

        加工環(huán)境:

        溫度:20-25°± 1°C

        濕度:35-45% ± 2%

        相關(guān)溶液:

        顯影液:101 Developer

        去膠劑:Remover PG

        稀釋液:G Thinner

        一般儲存溫度:

        4-27°C

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