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            氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
            氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式

            參考價(jià)格

            面議

            型號(hào)

            氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式

            品牌

            山東力冠

            產(chǎn)地

            山東

            樣本

            暫無
            山東力冠微電子裝備有限公司

            高級(jí)會(huì)員

            |

            第1年

            |

            生產(chǎn)商

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            產(chǎn)品概述/Product Introduction:

            ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng)

            Used for the growth of gllium nitride (GaN) single crystal

            ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)

            Used for the epitaxial growth of gallium oxide (Ga?O?), aluminum nitride (AIN), indium. phosphide (InP) and gallium arsenide (GaAs)

             


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