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SiC高溫氧化設(shè)備

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SiC高溫氧化設(shè)備

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山東

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? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是*安全的毒性氣體氧化爐 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度

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