等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD

品牌：安徽澤攸
產(chǎn)地：安徽
關(guān)注度：25
型號(hào)：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
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產(chǎn)品介紹

多功能電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（CVD）是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)，主要借助微波或射頻的方法將目標(biāo)氣體進(jìn)行電離，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)在較低的溫度下進(jìn)行，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。

目前項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的CVD設(shè)備可在多種襯底上（如金屬、氧化物、半導(dǎo)體表面）直接生長以石墨烯為代表的各類新型二維材料，用于新材料、新器件的研發(fā)。工藝簡單廉價(jià)，且具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體生長工藝的兼容性。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD

應(yīng)用案例

CVD應(yīng)用——Graphene在任意襯底上的無催化生長

CVD應(yīng)用——外延Graphene/BN異質(zhì)結(jié)與摩爾超晶格

CVD應(yīng)用——Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展

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CVD應(yīng)用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調(diào)控

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CVD應(yīng)用——外延構(gòu)筑各種MoS2范德華異質(zhì)結(jié)

CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長

CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長2

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD的工作原理介紹？
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