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反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分。在薄膜沉積過程中，RHEED給客戶提供了重要的信息。
首先，RHEED圖像表征樣品表面的狀態(tài)。
其次，其強度震蕩可以提供生長速率的量化數(shù)據(jù)。
RHEED提供了清晰的焦點，以及衍射圖樣，并能夠在屏幕上高亮度顯示。
電子光學部件有磁性保護罩，便于提高操作性。
可選部件：RHEED圖像分析硬件和軟件系統(tǒng)，可以實時獲取RHEED圖樣，使用戶便于觀察和控制薄膜生長質(zhì)量。完整的RHEED系統(tǒng)包括 10KeV RHEED電子束源，電源及配套光纜。
技術參數(shù)：
束流電壓 | 10KV |
燈絲電流 | 3A |
發(fā)射電流 | 5A |
光斑大小 | 1.0mm (17’’/1075px距離) |
**烘烤溫度 | 230 oC |
RHEED Electron Source
2.75"和4" 法蘭
RHEED Power Supply
RHEED Image Analysis Software
高分辨CCD 或相機
實時分析
2D/3D分析
RHEED Optional Components
主要特點：
實時檢測外延生長
測量薄膜生長速率
單晶薄膜的生中速率測量
光學部件帶有磁性罩
暫無數(shù)據(jù)！
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