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產(chǎn)品名稱：離子束刻蝕系統(tǒng)
品牌：Elionix
型號：EIS-200
關鍵詞標簽：離子束蝕刻，干法蝕刻，離子束轟擊，離子束減薄
簡短描述：（<40字）：利用ECR技術產(chǎn)生高能Ar+離子束，Ar+離子束通過電場加速，對樣品進行物理的轟擊達到刻蝕作用。
一、簡介
EIS-200是Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術（ECR）的小型離子束蝕刻系統(tǒng)，特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄，清洗、鍍膜等。
EIS-200原理：
利用ECR技術產(chǎn)生高能Ar+離子束，Ar+離子束通過電場加速到達樣品表面，對樣品進行物理的轟擊達到刻蝕作用。
EIS-200具有以下優(yōu)點：
?方向性好，各向異性，陡直度高，側向刻蝕少
?分辨率高
?不受刻蝕材料限制，可對石英等材料進行蝕刻
?可控制蝕刻Taper角
?可以設定多樣的實驗條件
二、主要功能
l主要應用
納米級圖案刻蝕
高深寬比蝕刻
表面清潔
離子減薄
l技術能力
離子槍 | ECR型離子槍 |
離子化氣體 | Ar、Xe等、惰性離子氣體 |
N2、O2、CF4等、活性離子氣體 | |
加速電壓 | 100V～3000V 連續(xù)可變（高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX) |
離子束流密度 | Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時） |
O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時） | |
離子束有效直徑 | Φ20mm（FWHM35mm) |
離子束穩(wěn)定度 | ±3％/2H |
大樣品尺寸 | Φ4英寸 |
三、應用
納米級圖案刻蝕、高深寬比蝕刻、表面清潔、離子減薄等
?SiO2 on Si substrate
?Diamond Substrate（金剛石）
?Quartz (Mask)
?Oriented PET film
暫無數(shù)據(jù)！
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