中國粉體網(wǎng)訊  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)能夠消除芯片表面的高點(diǎn)及波浪形。CMP通過拋光液中化學(xué)試劑的化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削的雙重耦合作用，在原子水平上去除表面缺陷，獲得全局平坦化表面，因此，拋光液對(duì)拋光效果起到至關(guān)重要的影響。 CMP工藝  來源：何潮等，半導(dǎo)體材料CMP過程中磨料的研究進(jìn)展CMP拋光液作為影響化學(xué)機(jī)械拋光質(zhì)量和拋光效率的關(guān)鍵因素，其組分一般包括磨料、氧化劑和其它添加劑。添加劑一般包括絡(luò)合劑、螯合劑、緩蝕劑、表面活性劑，以及pH調(diào)節(jié)劑等。通常根據(jù)被拋光材料的物理化學(xué)性質(zhì)及對(duì)拋光性能的要求，來選擇所需的成分配置拋光液。 化學(xué)機(jī)械拋光液各組分  來源：王東哲等，化學(xué)機(jī)械拋光..【詳細(xì)】